Пассивные элементы ППИС (резисторы) изготавливаются в том же едином технологическом цикле, что и активные элементы. Все расчеты диффузионных резисторов основаны на размерах областей активных элементов.
Распределение примесей в объеме резистора вглубь кристалла соответствует распределению примесей в эмиттерной или в базовой области ППИС (рис. 4 и 5), так как диффузионные резисторы изготовляются одновременно с изготовлением ППИС. Поэтому диффузионные резисторы подразделяются на резисторы эмиттерного или базового типа.
Характеристики резисторов зависят от того, какой слой транзисторной структуры использован в качестве резистивного (табл. 3).
Таблица 3. Характеристики резисторов эмиттерного и базового типа
| Тип резистора | Номиналы | Сопр.слоя | D Rсл /Rсл
| ТКС, 106 0 C> |
| Базовый | 100…30000 | 200 | 10 | +2500 |
| Эмиттерный | 5…50 | 2,5 | 30 | +100 |
Рис. 4. Типовое распределение примесей в структуре биполярных транзисторов ППИМС с диодной (р-п) изоляцией
Рис. 5. Распределение примесей вглубь кристалла
Размеры для диффузионных резисторов в плоскости кристалла определяются размерами диффузионного окна, которые могут быть линейного или зигзагообразного типа. Формы диффузионных резисторов приведены на рис.6.
г) 
Рис. 6. Формы диффузионных резисторов.
На Рис. 6:
а) и б) линейные резисторы;
в) зигзагообразный;
г) низкоомный резистор.
Для снижения погрешности выполнения диффузионных резисторов необходимо учитывать влияние контактных о6ластей на сопротивление резисторов (рис. 7 и 8).
Рис. 7. Линии тока и эквипотенциальные поверхности в резистивном слое: а) при изгибе резистора под прямым углом; б) у металлического контакта.
Рис. 8. Формы контактных о6ластей и графики коэффициентов k.
Популярное:
Анализ систем автоматизированного управления численными методами Бурное развитие новейшей техники и всё большее внедрение современных разделов математики в инженерные исследования неизмеримо повысили требования к математической подготовке инженеров и научных работников, занимающихся прикладными вопросами. В настоящее время, требуется знание многих разделов современной математики и в первую очеред ...